日本东北大学、日本制钢所公司和三菱化学公司合作，开发出了可量产直径2英寸以上的GaN单晶基板的低压酸性氨热（LPAAT）法。通过实现低压晶体生长，能以相对较小的晶体生长炉量产大型晶体。利用LPAAT法在基于SCAAT法的GaN籽晶上制作的2英寸长GaN单晶基板，具有晶体镶嵌性低（对称面和非对称面的X射线摇摆曲线半值宽度在28秒内）、基板几乎没有曲翘（曲率半径约为1.5km）的良好晶体结构特性。

利用LPAAT法制作的大口径、低曲翘、高纯度GaN单晶基板如果能普及，可靠性优异的GaN垂直功率晶体管就有望实现实用化。

(本栏目稿件来源：日本科学技术振兴机构 整编：本报驻日本记者陈超)